nos semicondutores intrínsecos, o comportamento elétrico depende apenas da estrutura eletrônica do material puro, não necessitando de impurezas. o contrário ocorre nos semicondutores extrínsecos, nos quais o comportamento elétrico está intimamente relacionado com as impurezas inseridas. à temperatura ambiente, as mobilidades dos elétrons e dos buracos para o silício intrínseco são 0,14 e1, respectivamente. calcule a condutividade e a resistividade para este material. considere que o número de portadores intrínsecos é1? me ajudeeem por favor!
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§=4,56*10^-4 (omega*m)^-1 e P=2,19*10^3 omega*m
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