Question

O transistor bipolar de junção (TBJ) é um dispositivo semicondutor composto por três regiões dopadas: uma camada tipo n entre duas camadas tipo p, chamada pnp e uma camada tipo p entre duas camadas tipo n, chamada npn. Os transistores TBJs podem ser classificados em base-comum, emissor-comum e coletor-comum e dependendo do modo de operação é usado em funções e aplicações diferentes. Com base nas formas de polarização do transistor TBJ, assinale a alternativa que apresenta a configuração mais adequada para as aplicações em altas frequências.
Escolha uma:
a. Amplificador de coletor-comum.
b. Amplificador de base-comum.
c. Amplificador de base comum e emissor comum
d. Amplificador de coletor comum e emissor comum
e. Amplificador de emissor-comum.

Answer 1

Resposta

Amplificador de base-comum

Answer 2

Resposta:

a)

Amplificador de base-comum.

Explicação: