5. (UFRJ) O arseneto de gálio (GaAs) é uma substância com excepcionais propriedades semicondutoras, sendo muito utilizado em células fotoelétricas. Muitos cientistas acreditam que o arseneto de gálio deverá substituir o silício na fabricação da próxima geração de chips de computadores ultravelozes. Sua obtenção industrial se dá através da reação:
2 As + 3 H2 + Ga2O3 → 2 GaAs + 3 H2O
Sabendo que o número de oxidação do gálio permanece inalterado, determine a
variação do número de oxidação do arsênio na reação de produção do arseneto de gálio.
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-3 de Carga Elétrica, ganhou 3 elétrons
Explicação:
Como o NOX do Gálio é constante, temos que o valor dele é de 3*NoxDosOxigenios - 2*NoxDoGalio = 0
Portanto o NOX do Gálio é 6/2 = +3, como a substância Arseneto de Gálio tem que possuir Nox = 0, portanto o NOX do Arsênio ao final da reação é igual a -3, para igualar ao do Gálio
Como o Arsênio nos reagentes é uma substância simples seu NOX era igual a 0. Portanto a variação do NOX do Arsênio é de -3 de carga, ou seja, reduziu em três elétrons
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