• Matéria: Física
  • Autor: ossocomsalgrosso
  • Perguntado 8 anos atrás

Ao aplicarmos um campo magnético perpendicularmente à uma corrente elétrica que atravessa um material semicondutor, teremos a deflexão lateral dos elétrons para um lado e dos buracos para outro. O resultado disso é uma diferença de potencial no material conhecida como tensão Hall (Vh).

Considere uma chapa de silício intrínseco de 30mm de espessura conduzindo uma corrente de 1mA. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que produz um campo magnético de 0,1T . A mobilidade eletrônica do silício é 0,14 \frac{m^{2}}{V.s}    e sua condutividade é σ=4x10^-4(Ω.m)^-1

a. Vh= -1,175V
b. Vh= -1,183V
c. Vh= 1,167V
d. Vh= -1,197V
e. Vh= -1,167V

Respostas

respondido por: paulopenteadopp35
3

Vh= -1,4 x 10 ^ -8 v


franbitencurt: VH= -1,167 V a resposta certa
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