Question

De acordo com as impurezas dopadas no semicondutor intrínseco obtém-se o semicondutor extrínseco denominado tipo P (predomínio de lacunas), e tipo N (predomínio de elétrons livres). Sobre o semicondutor tipo P e tipo N, avalie as seguintes proposições:
I. O semicondutor tipo N pode ser feito através do acréscimo de impurezas com valência cinco (antimônio) no átomo de silício;
II. Em semicondutores tipo N chama-se os elétrons livres de portadores majoritários e as lacunas de portadores minoritários;
III. O semicondutor tipo P ocorre quando é adicionado uma impureza, como gálio ou boro, que tem uma valência de três, no Si ou Ge;
IV. A dopagem, portanto, faz o semicondutor extrínseco adquirir características de temperatura mais próxima dos materiais condutores, pois a condutividade aumenta para materiais isolantes e diminui para materiais condutores.



Assinale a alternativa correta:

A Apenas a I, III e IV são verdadeiras;
B Apenas a I, II e III são verdadeiras;
C penas a I, II são verdadeiras;
D
Todas são verdadeiras;

E
Apenas a I, II e IV são verdadeiras.

Answer 1

A alternativa correta é a C penas a I, II são verdadeiras;

Semicondutores extrínsecos ou dopados são semicondutores intrínsecos onde introduzimos uma impureza para controlarmos as características elétricas do semicondutor.

No caso do silício, como material semicondutor estas impurezas são elementos da coluna III (trivalentes) ou da coluna V (pentavalente) da tabela periódica.

A condutividade de um semicondutor extrínseco é altamente dependente de seu estado eletrostático. Semicondutores extrínsecos se portam como condutores quando eletricamente neutros a qualquer temperatura.

Espero ter ajudado.